台达谈图A|在低放电率(C/10)下测量各种正极材料的电压-容量曲线。

使用该技术制备的As掺杂的CdSeTe太阳能电池获得了863mV的VOC和超过18%的PCE，出席优于Cu掺杂的同类电池。陕西设调算数（b）Cu和As掺杂的CdSeTe器件的相应EQE。

高校（c）使用C-V测量Cu和As掺杂的CdSeTe器件的载流子浓度分布。【图文解读】图一、云服研座云计多晶CdSeTe太阳能电池中的低温非原位掺杂示意图（a）CdCl2处理的多晶CdSeTe薄膜。在无Se碲化镉太阳能电池中，分享处于国际领先水平。

CdTe基PV组件的制造工艺包括三个关键步骤：据中吸光层（CdTe或CdSe/CdTe）的快速沉积（~600°C）、CdCl2处理（~400°C）和Cu掺杂（~200°C）。心方（d）V族元素在低温（~200°C）下向CdSeTe中扩散。

台达谈（c）As在CdSeTe器件中的动态SIMS深度分布

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